반도체식 고주파

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반도체식 고주파

반도체식 고주파



  • 반도체식 고주파 유도가열 장치
  • 광명고주파의반도체식(IGBT, FET, SIT)고주파 유도가열장치는 1Kw~500Kw, 주파수 3KHz ~ 1000KHz폭넓은사양으로 사용자의 요구를 충족시켜 드리고 있습니다.

  • 제품사양
  • 전원 전압 출력 발진주파수 회로방식 냉각방식
    3상 380V 60Hz~55KVA 단상 50Kw 20KHz IGBT 칠러방식

  • 용 도
  • 용접및 납땜 / 소결및공구열처리 / 표면강화,국부경화 / 뜨임및 풀림,용해 / 단조및고온 프레스 / 반도체결정성장 / 응력 제거용 / 연구개발,시험용

  • 고주파 저항 소결기
  • 광명고주파의반도체식 (IGBT, FET, SIT) 고주파 유도 가열장치는 1Kw~500Kw의다양한 출력으로 열처리, 소입, 소려, 용접 및 납땜, 융착, 단조 및 빌렛가열 등 각동 장치 산업분야에서 다양하게 활용할 수가있습니다.



  • 구분 반도체고주파 변환장치 진공관식고주파 발진기 차이 점
    에너지효율 90~95% 55~60% 전기설비 용량의 절감및 냉각수 설비의 절감
    사용전압 110~380v 3,000~20,000V 저전압 사용으로 인한 안전성
    냉각수설비 손실 5~0%대한 냉각 설비 손실 35~40%대한 냉각설비 냉각장치 설비 절감 1/3
    중 량 1/3 1 가볍기 때문에 설치및이동이 용이
    전력변환소자 트랜지스터 진공관 진공관은 수명이 있지만 TR은 반영구적이기때문에 소모성부품의 절감으로 인해 경제적이다.
    설치장소 1/4 1 좁은 설치장소도 가능하므로 경제적
    수 명 반영구적 3,600~7,200  
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